Se espera que el tamaño del mercado mundial de obleas epitaxiales para semiconductores compuestos alcance los 7.800 millones de dólares para 2030, con un crecimiento del mercado del 13,2% CAGR durante el período previsto.

La alta movilidad de los electrones es una propiedad común de las obleas epitaxiales cuánticas, lo que facilita un movimiento de electrones más rápido y un mejor rendimiento del dispositivo. En equipos electrónicos de alta velocidad, esto es muy crucial.

Nueva York, 30 de agosto de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Reportlinker.com anuncia la publicación del informe "Informe de análisis de tamaño, participación y tendencias de la industria del mercado global de obleas epitaxiales para semiconductores compuestos por aplicación, por usuario final, por perspectiva regional y Previsión, 2023 - 2030" - https://www.reportlinker.com/p06487839/?utm_source=GNW Por lo tanto, el segmento CS Quantum registró unos ingresos de 195,9 millones de dólares en 2022. Los efectos del confinamiento cuántico son posibles gracias al control exacto del espesor de material a nivel nanoescalar proporcionado por el proceso de crecimiento epitaxial. La ingeniería de puntos y pozos cuánticos con distintos niveles de energía y estados electrónicos discretos hace uso de estas características. Algunos de los factores que afectan al mercado son la creciente demanda de iluminación LED, la creciente implementación de semiconductores compuestos en tecnologías inteligentes y grandes gastos de capital iniciales. La creciente popularidad de la iluminación LED de bajo consumo está impulsando la industria de las obleas epitaxiales. Los beneficios de la tecnología de oblea epitaxial, incluidos los bajos costos de fabricación y la mejora de la sensibilidad del dispositivo, promueven la expansión del mercado. El desarrollo de sistemas de iluminación LED en importantes países desarrollados y en desarrollo está impulsado por una mayor conciencia de los consumidores sobre la tecnología verde y un creciente enfoque en la disminución del uso global de electricidad. La capa epitaxial que crece encima de la oblea de silicio sirve para mejorar las propiedades eléctricas de la oblea, aumentando la densidad de potencia de la iluminación LED. Además, se prevé que las tecnologías inteligentes de la próxima generación se construirán a partir de una amplia gama de materiales de vanguardia, como nanotubos de carbono, superconductores y semiconductores compuestos como el GaN. Una red inteligente y otras infraestructuras inteligentes no pueden funcionar sin el desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos de potencia, aisladores de cables, tipos de cables, dieléctricos de cables y tecnologías de almacenamiento de energía. Por lo tanto, el uso cada vez mayor de luces LED y el surgimiento de tecnologías inteligentes impulsan el crecimiento del mercado. Sin embargo, el costo de comprar o construir una infraestructura eléctrica o no eléctrica que se prevé reembolsar mediante ingresos energéticos es un "capital inicial". inversión." Esto incluye todos los gastos relacionados con la elaboración de estrategias, el diseño, la compra de terrenos y la construcción, así como cualquier inversión realizada durante la construcción. Como resultado, el proceso de fabricación de obleas necesita personal cualificado y cualificado. El alto precio de las obleas epitaxiales del semiconductor chaveound (CS), que resulta de sus costosos procedimientos de fabricación y materias primas, tiene un impacto limitado en el crecimiento del mercado. Perspectivas de aplicación Según la aplicación, el mercado se caracteriza en electrónica de potencia CS, RF/microondas CS , detección CS, fotónica CS y cuántica CS. El segmento de fotónica CS obtuvo una tasa de crecimiento considerable en el mercado en 2022. Los semiconductores compuestos pueden emitir y absorber una amplia gama de fotones, incluidos aquellos con longitudes de onda infrarroja, visible y ultravioleta. Son adaptables para su uso en una variedad de aplicaciones, desde comunicación óptica hasta imágenes y detección, debido a esta propiedad. Se pueden crear circuitos integrados fotónicos (PIC) con arquitecturas complicadas y altamente funcionales integrando la fotónica semiconductora compuesta con la electrónica semiconductora tradicional. Perspectivas del usuario final Según el usuario final, el mercado se clasifica en economía digital, industrial, energía y potencia, defensa/ seguridad, transporte, electrónica de consumo, atención sanitaria y espacio. El segmento de la atención sanitaria fue testigo de una tasa de crecimiento prometedora en el mercado en 2022. Se prevé que las numerosas mejoras que se están llevando a cabo actualmente en los dispositivos médicos aumentarán la demanda de semiconductores compuestos de última generación. Como resultado de estos avances, se requieren avances en la tecnología de semiconductores. Se proyecta que habría un aumento en la demanda de obleas epitaxiales para semiconductores compuestos en la industria médica debido a una serie de variables. Perspectivas regionales En cuanto a la región, el mercado se analiza en América del Norte, Europa, Asia Pacífico y LAMEA. El segmento de Asia Pacífico obtuvo la máxima participación en los ingresos del mercado en 2022. El crecimiento del mercado está vinculado a una serie de variables, incluida la creciente adopción de IoT, vehículos autónomos y penetración de teléfonos inteligentes. A medida que la demanda de teléfonos inteligentes ha aumentado y la tecnología de los teléfonos inteligentes ha avanzado, han aparecido circuitos integrados (CI) más pequeños y gruesos. Estos semiconductores se utilizan en una variedad de equipos electrónicos, incluidos productos electrónicos de consumo, equipos de telecomunicaciones, computadoras y otros. Como resultado, este factor conducirá a un aumento en la demanda de obleas epitaxiales en la región. El informe de investigación de mercado cubre el análisis de las partes interesadas clave del mercado. Las empresas clave descritas en el informe incluyen II-VI Incorporated, WOLFSPEED, INC., Ennostar, Inc., GlobalWafers Co., Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.), SVT Associates, Inc., International Quantum Epitaxy, Plc. , Masimo Semiconductor, Inc., Nichia Corporation, Siltronic AG y Sumitomo Electric Industries, Ltd. Estrategias implementadas en obleas epitaxiales para el mercado de semiconductores compuestos Mayo de 2023: GlobalWafers Co., Ltd. firmó un acuerdo para adquirir Crystalwise Technology Inc., un fabricante de sustrato compuesto de óxido en Taiwán, de Sino-American Silicon Products Inc. La adquisición tiene como objetivo ampliar la cartera de productos de GlobalWafers. Junio ​​de 2021: GlobalWafers Co., Ltd. firmó un acuerdo con GLOBALFOUNDRIES, una empresa dedicada a la fabricación de semiconductores con muchas funciones . El acuerdo agregó la fabricación de obleas de silicio sobre aislante (SOI) de 300 mm y amplió la producción actual de obleas SOI de 200 mm en las instalaciones MEMC de GWC en O'Fallon, Missouri. Marzo de 2021: II-VI Incorporated firmó un acuerdo con Coherent, Inc. un proveedor de soluciones de sistemas basados ​​en láser y tecnologías basadas en láser. Juntas, las empresas tendrían oportunidades para fortalecer su competitividad aprovechando la escala combinada en toda la cadena de valor, acelerar el crecimiento a través de plataformas tecnológicas complementarias, obtener acceso a inteligencia y experiencia de mercado más profundas y diversificar aún más sus negocios por mercado final y geografía. : II-VI Incorporated anunció un acuerdo para adquirir Ascatron AB, un proveedor de obleas y dispositivos epitaxiales de carburo de silicio (SiC). Esta adquisición ampliará el poder de fabricación de II-VI Incorporated en todo el mundo con la ayuda de las plataformas tecnológicas de Ascatron AB. Septiembre de 2019: II?VI Incorporated se asoció con LITE-ON Technology Corporation, una empresa dedicada al suministro de componentes optoelectrónicos. para la fabricación y comercialización de láseres semiconductores empaquetados en volumen para LiDAR del mercado masivo. El primero se lanzó a mediados de 2020. Las empresas pretendían utilizar sus respectivas plataformas de fabricación de gran volumen para láseres semiconductores y envases optoelectrónicos para comercializar conjuntamente una amplia gama de soluciones láser a lo largo del tiempo, que van desde el infrarrojo cercano (NIR) hasta el infrarrojo de onda corta. (SWIR).Agosto de 2019: Cree (Wolfspeed) firmó un acuerdo con ON Semiconductor tras el cual la antigua empresa pretendía fabricar y suministrar sus obleas de carburo de silicio Wolfspeed® a ON Semiconductor. Un contrato de más de $ 85 millones exige que Cree ofrezca obleas epitaxiales y desnudas de carburo de silicio (SiC) avanzadas de 150 mm a ON Semiconductor para su uso en industrias de alto crecimiento como vehículos eléctricos y aplicaciones industriales. Enero de 2019: Cree, Inc. firmó un acuerdo con STMicroelectronics, el vendedor de productos y soluciones de semiconductores inteligentes y energéticamente eficientes, en el que STMicroelectronics recibirá las obleas de carburo de silicio (SiC) Wolfspeed® de Cree, Inc. Este acuerdo también aumentará la presencia de Cree, Inc. en el mercado geográfico. . 2019-enero: Cree llegó a un acuerdo con STMicroelectronics, una empresa de semiconductores, para fabricar y suministrar sus obleas de carburo de silicio (SiC) Wolfspeed® a STMicroelectronics. Durante este momento de tremendo crecimiento y demanda de dispositivos de energía de carburo de silicio, el acuerdo rige el suministro de obleas epitaxiales y desnudas de carburo de silicio avanzadas de 150 mm de Cree a STMicroelectronics por un valor de 250 millones de dólares. Alcance del estudio Segmentos de mercado cubiertos en el informe: Por Aplicación• CS Power Electronics• CS RF/Microondas• CS Sensing• CS Quantum• CS PhotonicsPor usuario final• Industrial, energía y potencia• Defensa/Seguridad• Economía digital• Transporte• Atención sanitaria• Electrónica de consumo• EspacioPor geografía• América del Norteo EE.UU.Canadáo Méxicoo Resto de América del Norte• Europeo Alemaniao Reino Unido Franciao Rusiao Españao Italiao Resto de Europa• Asia Pacífico Chinao Japón Indiao Corea del Sur Singapuro Malasiao Resto de Asia Pacífico• LAMEAo Brasilo Argentinao EAUo Arabia Sauditao Sudáfricao Nigeriao Resto de LAMEAEmpresas perfiladas• II-VI Incorporated• WOLFSPEED , INC.• Ennostar, Inc.• GlobalWafers Co., Ltd. (Sino-American Silicon Products Inc.)• SVT Associates, Inc.• International Quantum Epitaxy, Plc.• Masimo Semiconductor, Inc.• Nichia Corporation• Siltronic AG• Sumitomo Electric Industries, Ltd. 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